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- 外延生长
- 晶圆流片
- 芯片封装
- 芯片测试
采用先进MOCVD系统生产制造应用于激光光源芯片生产的外延片，可提供2-6寸外延片生长的代工和定制化服务。
可自主生长出界面陡峭的GaAs、InP基三、四元材料，以及边发射、垂直腔面发射等多种器件的外延结构。
可自主表征外延结构的波长、组分、掺杂等信息。
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光刻/刻蚀
光刻：紫外光刻、纳米压印
刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀
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薄膜沉积
绝缘膜沉积：SiO2、Si3N4、AI2O3、HfO2
金属膜沉积：Ti、Pt、Au、AuGe、Ni、Ge、 Cr等
成膜技术：蒸镀、溅镀、电镀
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离子注入
注入晶圆尺寸：4寸、6寸及小片
注入能量范围：30-380keV (Single Charge)
注入元素：H+、He+
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解理/腔面镀膜
镀膜材料：SiO2、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、Ti3O5、Si
反射率：0.1%-99%
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减薄抛光
GaAs、InP衬底
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湿法氧化
湿法氧化技术：Al(Ga)As 湿氮氧化
晶片尺寸：4寸、6寸及小片
吉光具备提供多种封装定制方案的能力，具体包括 TO、COC、COS、C-Mount、CS、F-Mount封装以及光纤耦合模块封装等，旨在精准适配各类应用场景的定制化要求。
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COS模块
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F-MOUNT模块
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光纤耦合模块
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半导体激光器系统
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COC模块
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1
自动化芯片测试
4-6寸VCSEL晶圆自动探测及分选
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2
高频芯片测试
小信号测试、大信号测试、RIN测试
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3
可靠性测试与验证
老化实时监测、-40~85℃温度循环、高温高湿试验
