吉光半导体荣获“2025激光金耀奖”新技术奖

2025年3月10日，第五届激光金耀奖颁奖典礼在上海隆重举行。金耀奖是由中国光学学会激光加工委员会支持，联合行业内多家权威机构共同设立，旨在发掘具有前瞻性、创新性和引领性的对中国激光行业产生重大影响的新技术、新产品和新应用，受到了激光行业及下游应用企业的广泛关注。本次颁奖，吉光半导体科技有限公司（以下简称“吉光公司”）“高功率低发散角近圆形光束边发射半导体激光芯片”荣获“2025年激光金耀奖”新技术奖。

高功率边发射半导体激光器具有重要的应用，但一直存在快轴发散角大（含95%能量发散角通常大于50°）、椭圆出光的问题，通常需要快慢轴分别准直，增大应用成本。该难题根源是传统边发射半导体激光器外延结构采用狭窄的全反射波导结构。针对该难题，吉光公司采用双边布拉格反射波导外延结构，利用光子带隙效应限制光场，并调控光缺陷层抑制局域光波导效应，使快轴方向光模式尺寸增加到10μm以上且保持稳定的单横模工作，从而显著降低快轴发散角（95%能量发散角小于15°）。大的光模式尺寸还有利于降低光功率密度，提升灾变损伤阈值功率。采用该技术，吉光公司在多个波段研制出高功率、近圆形边发射半导体激光芯片，有利于简化光学系统、改善光纤耦合效率，降低应用成本。

采用该技术，905nm波段半导体激光器单管：准连续输出功率>27W，脉冲输出功率>50W，快轴发散角<15°（含95%能量），有利于简化光束整形系统、提高空间分辨率；976nm单模激光芯片：连续功率可超过1W，快轴发散角<15°（含95%能量），高的单模光纤模场匹配度明显提升单模光纤耦合效率，采用平头光纤直接耦合效率也可达65%以上，可大幅降低应用成本。

该技术是从半导体激光器外延结构入手，从源头出发改善半导体激光器大的发散角等问题，展现出独特优势，并可拓展到不同材料体系，有望为半导体激光应用发展提供芯片级推动力。未来，公司将进一步完善以市场需求为导向的技术创新机制，通过强化关键技术自主可控能力与产业链协同效率，加速推进核心器件研发及产业化应用。