- 从4、6英寸GaAs到2~4英寸InP晶圆，满足不同需求，为科技创新提供有力支撑。
- 精心打造GaAs基VCSEL、EEL与InP基EEL、QCL，为项目提供稳定可靠的芯片支持。
- 通过XRD、ECV、Hall、PL mapping等精准测试，确保外延生长的芯片达到预定标准。
4英寸 850nm VCSEL晶圆
平均dip波长为849.5nm
